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还在为嵌入式系统或网络设备寻找那颗“又快又稳”的内存芯吗？MT47H32M16NF-25E:H就是您的理想答案。这颗由美光科技打造的512Mb DDR2 SDRAM芯片，拥有高达400MHz的运行频率和仅400ps的快速访问时间，能轻松应对实时数据读写与高速处理的挑战，让您的设备响应如飞，彻底告别卡顿。

它采用1.8V供电和84-TFBGA紧凑封装，功耗与空间控制俱佳。0°C至85°C的工业级工作温度范围，更确保了它在各种复杂环境下都能稳定可靠地运行。无论是工业控制、通信基础设施还是高端消费电子，选择它，就是为您的核心设计注入了高效与耐用的双重保障，助您轻松构建更具市场竞争力的产品。

• 型号:MT47H32M16NF-25E:H
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H32M16NF-25E:H，Micron（美光）产品一站式供应商。