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还在为设备的多任务处理能力和响应速度而烦恼吗？MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR正是您期待的答案。这颗来自美光科技的8Gb移动LPDDR4 DRAM，以高达1600MHz的疾速时钟，为您的高性能应用注入澎湃动力，无论是复杂的图形渲染还是实时的数据交换，都能轻松驾驭，让您的产品体验如行云流水般顺畅。

它不仅仅追求速度，更注重能效与可靠。1.1V的低工作电压帮助您有效管理整体系统功耗，而宽广的-40°C至105°C工作温度范围，则确保了从消费电子到严苛工业环境下的稳定运行。采用紧凑的200-WFBGA封装，它让您在有限的空间内实现最大的性能部署，是打造下一代紧凑型、高性能移动及嵌入式设备的理想内存解决方案。

• 型号:MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。