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您正在寻找一颗能瞬间提升设备响应速度与多任务处理能力的内存核心吗？MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR正是您理想的答案。这颗美光出品的8Gb LPDDR4移动内存，以高达1600MHz的疾速频率和32位的宽数据总线，为您构建起高速数据通道，让应用程序运行无比流畅，大幅缩短等待时间。

它能让您的移动设备或嵌入式系统在性能与能效间取得完美平衡。1.1V的低电压供电显著降低了整体功耗，有助于延长电池续航；而其坚固的200球WFBGA封装和宽广的工业级温度适应性（-40°C至125°C），则确保了在各种严苛环境下依然稳定可靠，让您的产品设计无后顾之忧。选择它，就是为您的项目注入高效、稳定的内存动力。

• 型号:MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。