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您正在寻找一颗能让您的设备数据存储既可靠又高效的核心吗？MT29F2G08AABWP-ET TR正是这样一款为您排忧解难的NAND闪存芯片。它拥有2Gb的存储容量，采用高效的8位并行接口，能让您的系统实现快速的数据读写，轻松应对程序代码存储、用户数据记录等关键任务。

这颗芯片的宽电压（2.7V-3.6V）与宽温（-40°C至85°C）特性，让它能从容适应各种严苛的工业与商业环境，极大提升了您终端产品的环境适应性和可靠性。无论是安装在空间紧凑的电路板上，还是需要长期稳定运行，它都能以出色的性能让您的设计更稳健、更省心。

• 型号:MT29F2G08AABWP-ET TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F2G08AABWP-ET TR，Micron（美光）产品一站式供应商。