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还在为系统卡顿、数据排队而烦恼吗？MT49H8M36FM-33 TR就是您期待的答案。这颗美光288Mb并行DRAM，能以高达300MHz的速度飞奔，用20ns的极速访问响应您的每一个指令，轻松化解数据吞吐的压力，让您的设备运行如丝般顺滑。

它采用高效的1.7V~1.9V供电和144球BGA紧凑封装，不仅帮您节省宝贵的能源和电路板空间，更能适应0°C至95°C的严苛环境。无论是工业控制、网络通信还是医疗设备，它都能提供稳定可靠的高速数据缓存支持，让您的产品设计更高效，性能表现更出众。

• 型号:MT49H8M36FM-33 TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:300 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H8M36FM-33 TR，Micron（美光）产品一站式供应商。