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您正在为项目寻找一颗既能提供澎湃数据带宽，又兼顾能效与可靠性的内存芯片吗？MT41K1G4RH-107:E TR正是为您而来。这颗美光出品的4Gb DDR3L SDRAM，以933MHz的高频和20ns的快速访问，让您的系统数据处理如虎添翼，轻松应对实时、高速的应用需求。

它采用先进的低电压设计（1.283V~1.45V），在提升性能的同时显著降低功耗，让您的设备更高效、更节能。其宽温工作特性（0°C ~ 95°C）和紧凑的78-TFBGA封装，确保了在严苛环境下的稳定运行，并为您节省宝贵的板卡空间。选择它，就是为您的工业控制、网络通信或高端嵌入式设备，注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:MT41K1G4RH-107:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:1G x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT41K1G4RH-107:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。