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MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR 零件图片(仅供参考)

MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR
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MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR 规格参数

您正在寻找一颗能瞬间提升设备响应速度与多任务能力的内存核心吗?MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的6Gb Mobile LPDDR4 DRAM,以高达1866MHz的疾速频率,为您的高速处理器提供源源不断的数据流,彻底告别卡顿与等待。

它能让您的移动设备轻松驾驭大型游戏、高清视频流和多应用并行切换,用户体验如行云流水。1.1V的低工作电压设计,在释放强劲性能的同时,显著优化能效,助您延长电池续航。其宽温特性(-30°C ~ 85°C)更确保了设备在各种环境下的稳定运行,让您的产品设计无惧挑战,可靠耐用。

  • 型号:MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:-
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 6GBIT 1.866GHZ
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:6Gb
  • 存储器组织:1.5G x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.866 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
  • MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR 基本参数:

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