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还在寻找一颗能同时搞定高速运行和海量存储的“全能型”芯片吗？MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR就是您的答案。它创新性地将NAND Flash和LPDDR2 DRAM集成于一身，让您的设备既能拥有2Gb的非易失存储空间来安全保存关键数据，又能借助1Gb的高速RAM实现533MHz的流畅数据处理，轻松应对复杂任务。

这颗芯片能为您大幅简化系统设计。1.8V的低功耗设计和162-VFBGA的紧凑封装，帮助您打造出更节能、更小巧的产品。其坚固的品格同样令人信赖，宽广的-40°C至85°C工作温度范围，确保它在各种严苛环境下都能稳定工作。选择它，就是为您的嵌入式系统选择了一个高效、可靠且久经考验的存储核心。

• 型号:MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:162-VFBGA（10.5x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH RAM 2GBIT PAR 162VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
• 存储容量:2Gb（NAND），1Gb（LPDDR2）
• 存储器组织:256M x 8（NAND），32M x 32（LPDDR2）
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.8V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:162-VFBGA
• 供应商器件封装:162-VFBGA（10.5x8）
• MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。