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还在为嵌入式系统的数据带宽瓶颈而烦恼吗？让MT46V64M8TG-5B:D TR为您开启高效数据存取的新篇章。这颗512Mb容量的DDR SDRAM，以高达200MHz的运行速度和并联接口，为您的高速处理器提供源源不断的数据流，轻松应对实时处理、大容量缓冲等关键任务。

它采用2.5V~2.7V低电压工作，在提升系统性能的同时有效控制功耗。紧凑的66-TSSOP封装适合高密度板卡设计，让您的产品布局更灵活。选择它，就是为您的设备选择了一颗经过验证的、可靠的数据心脏。

• 型号:MT46V64M8TG-5B:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V64M8TG-5B:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。