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MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR 零件图片(仅供参考)

MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR
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MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR 规格参数

还在为设备的多任务处理能力和响应速度而烦恼吗?MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR正是为您破解这一难题的利器。这颗来自美光科技的24Gb大容量移动LPDDR3 DRAM,能以高达933MHz的时钟频率飞速运转,为您的高端移动设备注入强大动力,让复杂的应用程序运行如飞,大幅提升用户体验。

它采用先进的1.2V低电压设计,在提供澎湃性能的同时,显著优化能效,帮助您轻松延长设备的电池续航。其紧凑的168-WFBGA封装和宽温工作特性,让您的产品设计更灵活,适应环境更广泛。选择它,就是选择了一个可靠、高效且经过验证的内存核心,让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

  • 制造商产品型号:MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 24GBIT 933MHZ 168FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 存储容量:24Gb(768M x 32)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:933MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.2V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:168-WFBGA
  • MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR 基本参数:

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