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它采用成熟的256M x 16并行架构，提供稳定可靠的大容量存储解决方案。1.5V左右的低功耗设计和宽温工作特性，更能帮助您打造出在各种环境下都表现卓越的耐用产品。无论是升级现有系统还是开发高性能新设备，它都是您值得信赖的存储核心伙伴。

• 型号:MT41J256M16HA-125:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（9x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
• MT41J256M16HA-125:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。