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您正在寻找一颗能扛重任、反应迅捷的存储核心吗？NAND01GW3B2CZA6E正是您期待的答案。这颗由美光科技出品的1Gb并行NAND闪存芯片，拥有25ns的超快页写入和访问时间，能让您的设备在需要调用或存储数据的瞬间，几乎无需等待，大幅提升系统响应流畅度。

其2.7V-3.6V的宽电压适应能力和-40°C至85°C的工业级工作温度范围，意味着无论您的产品应用于车载电子、工业控制还是网络通信等复杂环境，它都能稳定运行，让您彻底告别因存储模块导致的系统不稳定烦恼。紧凑的63-TFBGA封装，更便于您进行高密度的电路板设计。

• 型号:NAND01GW3B2CZA6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9.5x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:25ns
• 访问时间:25 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9.5x12）
• NAND01GW3B2CZA6E，Micron（美光）产品一站式供应商。