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还在为移动设备的内存瓶颈而烦恼吗？MT52L256M64D2LZ-107 XT:B TR正是您突破性能限制的利器。这颗来自美光科技的16Gb移动LPDDR3 DRAM，能以高达933MHz的速度高速处理数据，让您的应用加载更快、多任务切换更流畅，为用户带来无与伦比的畅快体验。

它采用低至1.2V的供电电压和先进的工艺，在提供强大带宽的同时，显著降低系统功耗，有效延长电池续航。其216-WFBGA的紧凑型表面贴装封装，让您能轻松设计出更轻薄、更时尚的产品。无论是应对复杂的图形处理还是大量的数据交换，它都能稳定高效地完成任务，是您打造高端移动智能终端的理想内存解决方案。

• 型号:MT52L256M64D2LZ-107 XT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-FBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 16GBIT 933MHZ 216FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:256M x 64
• 存储器接口:-
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.2V
• 工作温度:-30°C ~ 105°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-WFBGA
• 供应商器件封装:216-FBGA（12x12）
• MT52L256M64D2LZ-107 XT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。