我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT49H8M36SJ-25 IT:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为系统数据带宽瓶颈而困扰吗？MT49H8M36SJ-25 IT:B TR将彻底改变这一局面。这颗288Mb（8M x 36）容量的并行DRAM，凭借高达400MHz的时钟频率，能为您的高速处理器提供源源不断的低延迟数据流，轻松应对大数据量的实时读写挑战，让您的应用运行如飞。

它不仅仅追求速度，更注重在复杂环境下的坚如磐石。1.7V~1.9V的低电压运行让您的系统更节能，而-40°C至85°C的宽温工作范围，则确保了它在工业自动化、通信基站等严苛场景中的极致稳定性。选择它，就是为您的核心设备选择了一位高效且永不疲倦的数据伙伴。

• 型号:MT49H8M36SJ-25 IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H8M36SJ-25 IT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。