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还在为嵌入式系统寻找一颗既能高速运行又兼顾低功耗的存储核心吗？MT48H16M32L2B5-8 IT就是您理想的解决方案。这颗美光出品的512Mb移动低功耗SDRAM，采用16M x 32的并行架构，能以高达125MHz的时钟频率和7.5ns的快速访问时间处理数据，让您的系统响应如闪电般迅捷。

它能在1.7V至1.9V的低电压下稳定工作，显著降低系统整体功耗，同时其宽广的-40°C ~ 85°C工作温度范围，让您的设备无惧严苛环境挑战。无论是工业控制、车载电子还是便携设备，它都能让您轻松构建出高效、可靠且续航持久的出色产品。

• 型号:MT48H16M32L2B5-8 IT
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:90-VFBGA（8x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPSDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:16M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:125 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:7.5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:90-VFBGA
• 供应商器件封装:90-VFBGA（8x13）
• MT48H16M32L2B5-8 IT，Micron（美光）产品一站式供应商。