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还在为系统数据带宽瓶颈而烦恼吗？MT49H8M36BM-TI:B将彻底改变这一局面。这颗288Mb（8M x 36）并行DRAM芯片，专为需要高速、大位宽数据交换的应用而设计，它能为您的高速处理器提供充沛且流畅的数据供给，让您的设备在处理复杂任务时响应如飞，性能表现脱颖而出。

它采用先进的1.7V~1.9V低电压供电，在提升能效的同时保障强劲动力。144-TFBGA的紧凑封装和表面贴装设计，让您能更高效地利用宝贵的PCB空间，轻松实现高密度板卡布局。无论是用于升级现有产品还是开发新一代设备，它都是您构建高效、可靠存储子系统的理想核心选择。

• 型号:MT49H8M36BM-TI:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-TI:B，Micron（美光）产品一站式供应商。