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NAND256W3A0BN6F TR 零件图片(仅供参考)

NAND256W3A0BN6F TR
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NAND256W3A0BN6F TR 规格参数

还在为嵌入式系统寻找一颗久经考验、稳定如磐石的存储核心吗?NAND256W3A0BN6F TR就是您的理想之选。这颗美光科技的256Mb并行NAND闪存,能以50ns的高速响应您的每一次数据调用,并在-40°C至85°C的严苛环境下稳定守护您的关键信息。

它采用成熟的并行接口和2.7V-3.6V宽电压设计,让您的系统集成轻松高效。无论是存储固件、记录日志还是作为数据缓冲区,它都能可靠运行,极大提升您产品的整体稳定性和性能表现。选择它,就是为您的成熟应用选择一个值得信赖的数据基石。

  • 型号:NAND256W3A0BN6F TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:48-TSOP I
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 256MBIT PAR 48TSOP I
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:256Mb
  • 存储器组织:32M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:50ns
  • 访问时间:50 ns
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:48-TSOP I
  • NAND256W3A0BN6F TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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NAND256W3A0BN6F TR 基本参数:

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