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您正在寻找一颗能瞬间提升系统数据吞吐能力的心脏吗？MT49H8M36BM-33 TR正是您期待的答案。这颗288Mb（8M x 36）容量的并行DRAM，拥有高达300MHz的时钟频率与仅20ns的快速访问时间，能让您的应用轻松处理海量数据流，告别延迟卡顿，体验如飞一般的响应速度。

它采用1.7V~1.9V低电压运行，在提供高效性能的同时兼顾能效，特别适合对功耗有要求的嵌入式设计。其紧凑的144-TFBGA封装和表面贴装特性，让您的PCB布局更灵活，生产更高效。无论是用于缓存、帧缓冲还是实时数据处理，它都能让您的系统运行得更稳健、更流畅。

• 型号:MT49H8M36BM-33 TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:300 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-33 TR，Micron（美光）产品一站式供应商。