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还在为系统同时需要高速运行内存和可靠存储空间而烦恼吗？MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR为您提供一站式解决方案！这颗美光出品的4Gb芯片，创新性地将移动LPDRAM和NAND闪存集成于一体，让您的设备既能以200MHz的高频疾速处理数据，又能安全持久地保存关键信息。

它采用高效的并联接口与1.8V典型电压供电，功耗控制出色，配合-25°C至85°C的工业级工作温度范围，确保您的产品在各种环境下都能稳定高效运行。无论是复杂的工业控制、高速通信模块还是需要高性能存储的嵌入式系统，它都能让您的设计轻松应对挑战，大幅提升产品竞争力与可靠性。

• 型号:MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:137-TFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137TFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:闪存 - NAND，移动 LPDRAM
• 存储容量:4Gb（NAND），4Gb（LPDRAM）
• 存储器组织:512M x 8（NAND），128M x 32（LPDRAM）
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:137-TFBGA
• 供应商器件封装:137-TFBGA（10.5x13）
• MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。