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还在为系统数据吞吐不够快而发愁吗？MT49H8M36BM-33 IT:B就是您期待的答案。这颗美光出品的288Mb并行DRAM芯片，专为需要高速数据交换的应用而生。其300MHz的时钟频率和20ns的快速访问时间，能让您的系统轻松处理海量数据流，显著提升响应效率。

它采用1.8V左右的核心电压，在提供强劲性能的同时兼顾能效。宽温度范围（-40°C至85°C）的设计，让它能适应从工业到通信的各种复杂环境。选择它，就是为您的核心设备装备了一个高效、可靠的数据中转站，让整体运行更加流畅稳定。

• 型号:MT49H8M36BM-33 IT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:300 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-33 IT:B，Micron（美光）产品一站式供应商。