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还在寻找能让您的设备“大脑”飞速运转的存储方案吗？MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的32Gb NAND闪存芯片，采用高效的并联架构，能以高达100MHz的速度处理数据，瞬间响应系统指令，让您的应用程序加载更快、运行更流畅。

它为您提供高达4G x 8bit的海量非易失存储空间，足以轻松容纳复杂的操作系统、多媒体文件或庞大的用户数据。其2.7V-3.6V的宽电压支持和0°C至70°C的工作温度范围，确保了在各种供电环境和气候条件下都能稳定可靠地工作，极大提升了您终端产品的适应性和耐用性。选择它，就是为您的产品选择了一份经久考验的性能保障。

• 型号:MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 32GBIT PARALLEL 100VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:32Gb
• 存储器组织:4G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-VBGA
• 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
• MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。