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MT44K32M36RB-083E:A 零件图片(仅供参考)

MT44K32M36RB-083E:A
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MT44K32M36RB-083E:A 规格参数

还在寻找能瞬间响应、吞吐如飞的内存解决方案吗?MT44K32M36RB-083E:A就是您期待的答案。这颗美光RLDRAM 3芯片,拥有高达1200MHz的运行频率和仅7.5ns的极速访问时间,专为打破延迟壁垒而设计。它能让您的网络设备、高端计算或测试仪器轻松应对数据洪流,实现近乎零等待的实时处理。

凭借其1.125Gb的并联存储架构和1.28V~1.42V的高效能电压范围,这颗芯片为您带来卓越的带宽与能效比。它让您轻松构建高性能、高可靠性的系统核心,确保关键数据的高速存取与流转,显著提升整体应用的响应速度和吞吐能力。

  • 制造商产品型号:MT44K32M36RB-083E:A
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC RLDRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:RLDRAM 3
  • 存储容量:1.125Gb(32Mb x 36)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1200MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:7.5ns
  • 电压-供电:1.28V ~ 1.42V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:168-TBGA
  • MT44K32M36RB-083E:A,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT44K32M36RB-083E:A 基本参数:

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