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还在寻找一颗能扛起海量数据存储重任的核心芯片吗？MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A就是您期待的答案。这颗美光64Gb NAND闪存芯片，拥有8G x 8的并行架构，能以高达83MHz的速度与您的主控高效对话，让您的系统轻松吞吐大量数据，告别等待与卡顿。

它采用宽电压设计（2.7V~3.6V），适应性强，功耗管理更高效；表面贴装的100-VBGA封装则帮您节省板上空间。无论是用于数据缓存、程序存储还是媒体库，它都能提供稳定可靠的非易失性存储解决方案，让您的设备设计更从容，性能表现更出色。

• 型号:MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:8G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-VBGA
• 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
• MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A，Micron（美光）产品一站式供应商。