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还在为设备的数据存储瓶颈而烦恼吗？让MT29F256G08CECCBH6-6R:C TR为您带来变革。这颗由美光科技打造的256Gb NAND闪存芯片，是您实现海量数据高速存取的秘密武器。其并联接口与167MHz的高时钟频率，能显著提升系统响应速度，让数据流转如飞。

它采用先进的152-VBGA封装，节省空间且性能稳定，宽电压设计（2.7V-3.6V）让它在各种供电环境下都能轻松应对。无论是作为系统的主存储器还是数据缓存，它都能让您的设备运行更高效、更可靠，轻松满足工业控制、网络通信等高要求场景的存储需求。

• 型号:MT29F256G08CECCBH6-6R:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-VBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:256Gb
• 存储器组织:32G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-VBGA
• 供应商器件封装:152-VBGA（14x18）
• MT29F256G08CECCBH6-6R:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。