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还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？MT49H8M36BM-25 IT:B TR就是您的高性能数据引擎。这颗来自美光科技的288Mb并行DRAM，凭借400MHz的高时钟频率和仅20ns的快速访问时间，能瞬间提升您系统的数据交换速度，让海量信息处理变得流畅无比。

它采用1.7V至1.9V的低电压设计，在提供强劲性能的同时，显著优化了能效，帮助您轻松构建更节能的产品。其宽温（-40°C至85°C）特性和可靠的144-TFBGA封装，确保它在各种严苛的工业与嵌入式环境中都能稳定运行，是您打造坚固耐用、响应迅捷应用的理想存储伙伴。

• 型号:MT49H8M36BM-25 IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-25 IT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。