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还在为系统数据带宽瓶颈而烦恼吗？让MT46V64M8BN-75 L:D TR为您开启高效数据流的新篇章。这颗512Mb容量的DDR SDRAM芯片，凭借133MHz的时钟频率和并联接口，能轻松应对大量数据的实时读写需求，显著提升您的设备在多任务处理与复杂运算时的响应速度。

它采用2.5V左右的核心电压，功耗控制出色，配合0°C至70°C的宽温工作范围，确保您的产品在多种环境下都能稳定运行。其表面贴装的60-TFBGA小型化封装，更便于您在紧凑的PCB空间内进行布局，是实现高性能、高可靠性设计的理想存储基石。

• 制造商产品型号：MT46V64M8BN-75 L:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：512Mb（64M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：133MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：750ps
• 电压-供电：2.3V ~ 2.7V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-TFBGA
• MT46V64M8BN-75 L:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。