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还在为系统数据吞吐效率而烦恼吗？MT49H64M9SJ-25E:B TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM，能以高达400MHz的速度运行，配合仅15ns的快速访问时间，瞬间响应您的数据读写需求，让您的应用体验前所未有的流畅与高效。

它采用成熟的并联接口和1.7V~1.9V低电压设计，在提供强大带宽支持的同时，有效控制功耗。无论是用于加速网络设备的数据交换，还是保障工业控制系统的实时响应，它都能成为您系统中可靠的数据枢纽。其宽温工作特性（0°C ~ 95°C）和稳定的144-TFBGA封装，更能让您轻松应对各种复杂应用环境，专注于核心功能的实现。

• 型号:MT49H64M9SJ-25E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:64M x 9
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H64M9SJ-25E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。