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还在为系统数据带宽瓶颈而困扰吗？让MT49H64M9FM-25E:B TR为您注入强劲的数据处理动力！这颗576Mb（64M x 9）的并行DRAM芯片，能以高达400MHz的时钟频率飞速运转，配合仅15ns的极速访问时间，确保您的大数据流处理任务流畅无阻，显著提升系统整体响应效率。

它采用1.7V~1.9V的低电压设计，功耗控制出色，同时能在0°C至95°C的宽温范围内稳定工作，轻松应对各种严苛的工业与环境挑战。紧凑的144-TFBGA封装非常适合空间受限的高密度电路板设计，让您的产品在保持高性能的同时，实现更精巧的布局。选择它，就是为您的嵌入式系统、网络设备或高端控制平台选择一个值得信赖的高速数据伙伴。

• 型号:MT49H64M9FM-25E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:64M x 9
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H64M9FM-25E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。