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还在寻找一颗能兼顾性能、可靠性与供货稳定的核心存储芯片吗？MT29F4G16ABBDAH4:D正是您的理想之选。这颗由美光科技打造的4Gb并行NAND闪存，采用紧凑的63-VFBGA封装，能以1.7V~1.95V的低电压高效运行，专为需要稳定数据存储的各类嵌入式与工业应用设计。

它能让您的设备轻松应对固件存储、数据日志记录、配置信息保存等关键任务。其非易失特性确保断电后数据不丢失，宽温工作范围则保障了在不同环境下的可靠运行。选择它，就是为您的产品注入一份经久耐用的存储保障，让系统运行更高效、更安心。

• 型号:MT29F4G16ABBDAH4:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G16ABBDAH4:D，Micron（美光）产品一站式供应商。