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还在为嵌入式系统寻找一颗“既快又稳”的核心存储芯片吗？M29W128GSL70ZS6E正是您期待的答案。这颗128Mb容量的并行NOR闪存，能以高达70ns的速度响应您的数据访问需求，让您的系统运行如飞。其宽电压（2.7V-3.6V）支持和-40°C至85°C的工业级工作温度范围，意味着无论环境如何变化，它都能为您牢牢守护每一比特关键数据。

它采用表面贴装的64-LBGA封装，节省空间且易于集成。无论是存储启动代码、应用程序，还是作为数据记录介质，M29W128GSL70ZS6E都能凭借其非易失特性，确保断电后信息毫发无损，让您的设计从根本上杜绝数据丢失的风险，实现高效、可靠的产品表现。

• 型号:M29W128GSL70ZS6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-FBGA（11x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:16M x 8，8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-LBGA
• 供应商器件封装:64-FBGA（11x13）
• M29W128GSL70ZS6E，Micron（美光）产品一站式供应商。