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还在为系统运行速度不够快而烦恼吗？MT41J256M8HX-187E:D这颗2Gb容量、并行接口的DDR3 SDRAM芯片，就是您提升设备性能的利器。它能以高达533MHz的时钟频率和1066MT/s的数据速率，为您的高速处理器提供充沛的数据带宽，让您的应用告别卡顿，实现流畅的数据吞吐与实时响应。

这颗芯片采用1.5V低功耗设计，并能在0°C至95°C的宽温度范围内稳定工作，确保您的设备在各种环境下都高效可靠。其78-TFBGA的紧凑封装，让您能轻松优化电路板空间。无论是加速您的网络设备、工业控制器还是嵌入式系统，MT41J256M8HX-187E:D都能让您的产品性能表现更上一层楼。

• 型号:MT41J256M8HX-187E:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.125 ns
• 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
• MT41J256M8HX-187E:D，Micron（美光）产品一站式供应商。