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还在为寻找一颗既能承载海量数据，又能保持高速稳定运行的核心存储芯片而烦恼吗？MT29F4T08EUHBFM4-T:B正是您期待的答案。这颗美光出品的4Tb并行NAND闪存，采用可靠的TLC技术，能轻松为您的高端设备提供巨量、非易失的数据仓库，让您的应用告别存储瓶颈。

它凭借其并联接口和优化的架构，确保您在进行大数据读写时依然流畅高效。宽广的1.7V~1.95V工作电压范围和0°C~70°C的工作温度，让它能轻松适应从消费电子到工业控制的多种场景，显著提升您产品的可靠性与市场竞争力。选择它，就是为您的设计注入强大、安心且面向未来的存储动力。

• 制造商产品型号：MT29F4T08EUHBFM4-T:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4TB PARALLEL
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：4Tb（512G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT29F4T08EUHBFM4-T:B，Micron（美光）产品一站式供应商。