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还在为系统性能瓶颈而烦恼吗？让MT49H32M18SJ-25E:B为您注入澎湃动力！这颗由美光科技出品的576Mb并行DRAM，凭借400MHz的高时钟频率和仅15ns的访问时间，能瞬间提升您的数据处理吞吐量，让您的设备运行如飞，轻松应对高负载任务。

它采用先进的1.8V左右低电压设计，在提供强大性能的同时，显著优化了能效比，帮助您打造更节能、更环保的产品。其宽温域特性（0°C至95°C）和可靠的144-TFBGA封装，确保它在各种严苛环境下都能稳定工作，是您构建工业控制、网络通信及高端嵌入式系统的理想内存伙伴。

• 型号:MT49H32M18SJ-25E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H32M18SJ-25E:B，Micron（美光）产品一站式供应商。