我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F512G08EBHBFJ4-T:B现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找能同时驾驭海量数据与高速响应的存储解决方案吗？MT29F512G08EBHBFJ4-T:B正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的512Gb并行NAND闪存芯片，采用先进的TLC技术，为您提供高达64G x 8的庞大存储空间，让您轻松容纳海量应用、系统文件与用户数据，彻底告别存储焦虑。

其并联接口架构确保了高效的数据传输，能显著提升您设备的整体响应速度与运行流畅度。1.7V~1.95V的低工作电压设计，让它在提供强劲性能的同时，兼顾了优异的能效表现，帮助您打造更节能、更环保的产品。无论是嵌入式系统、工业计算机还是高端网络设备，它都能以稳定的表现，成为您产品可靠的数据基石，助您高效应对各种复杂应用场景的挑战。

• 制造商产品型号：MT29F512G08EBHBFJ4-T:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLSH 512GBIT PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F512G08EBHBFJ4-T:B，Micron（美光）产品一站式供应商。