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还在为嵌入式系统的数据缓存速度而焦虑吗？让MT46V64M8CV-5B:J TR为您带来飞跃式的体验！这颗美光出品的512Mb DDR SDRAM芯片，拥有64M x 8的灵活组织架构，能以高达200MHz的速度运行，配合仅700ps的超快访问时间，瞬间响应您的数据读写需求，彻底释放主处理器的性能潜力。

它采用高效的并联接口和2.5V~2.7V低电压供电，在确保高速数据传输的同时，兼顾了系统的能效表现。无论是工业控制、网络通信还是高端消费电子，它都能轻松融入您的设计，提供稳定、大容量的易失性存储支持。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的“数据心脏”。

• 型号:MT46V64M8CV-5B:J TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-VFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
• MT46V64M8CV-5B:J TR，Micron（美光）产品一站式供应商。