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您正在寻找一颗能同时担当数据仓库与高速工作台角色的存储芯片吗？MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR正是这样一位多面手。它集成了1Gb容量的NAND闪存和1Gb容量的低功耗移动DRAM（LPDRAM），让您的设备既能安全、非易失地存储核心程序与重要数据，又能拥有一个高达166MHz运行速度的“思考”空间，实时处理复杂任务，大幅提升系统整体响应速度。

这颗芯片采用先进的130-VFBGA封装和表面贴装技术，集成度高，能有效为您节省宝贵的电路板空间。其1.7V~1.95V的低电压供电和宽广的-40°C至85°C工作温度范围，意味着它能让您的产品设计更加灵活，无论是追求长续航的便携设备，还是需要应对严苛环境的工业应用，都能轻松胜任，实现高性能与高可靠性的完美平衡。

• 型号:MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:130-VFBGA（8x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:闪存 - NAND，移动 LPDRAM
• 存储容量:1Gb（NAND），1Gb（LPDRAM）
• 存储器组织:128M x 8（NAND），32M x 32（LPDRAM）
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:130-VFBGA
• 供应商器件封装:130-VFBGA（8x9）
• MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。