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还在为嵌入式系统寻找一颗响应迅捷、坚如磐石的“记忆大脑”吗？M29W640GH70NA6F TR正是您期待的答案。这颗64Mb并行NOR闪存芯片，能以70ns的快速访问时间，让您的处理器高效获取启动代码和关键固件，显著提升系统整体响应速度。

它为您提供灵活的组织方式（8M x 8或4M x 16），并拥有2.7V~3.6V的宽电压工作范围与-40°C至85°C的宽广工作温度，轻松应对工业、通信等严苛环境。其非易失特性确保数据安全，表面贴装的48-TSOP封装更便于您的生产集成。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的可靠保障。

• 型号:M29W640GH70NA6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:8M x 8，4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• M29W640GH70NA6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。