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您是否在寻找一颗能立即提升产品可靠性与生产便捷性的存储芯片？MT29F1G08ABBEAH4:E正是您的理想答案。这颗由美光科技出品的1Gb并行NAND闪存，采用经典的1.8V供电和63-VFBGA封装，让您能轻松将其集成到各种嵌入式设计中，无需为复杂的电源管理或庞大的封装尺寸而烦恼。

它为您提供稳定、非易失的128M x 8位存储空间，是存储固件、系统参数或用户数据的可靠仓库。其广泛的兼容性和成熟的工艺，能显著降低您的设计风险与生产成本，让产品开发更高效，生产更顺畅。选择它，就是选择了一条经过市场验证的稳健之路。

• 型号:MT29F1G08ABBEAH4:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABBEAH4:E，Micron（美光）产品一站式供应商。