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它采用高密度FBGA封装，在寸土寸金的设备内部为您节省宝贵空间，同时保障了卓越的信号稳定性和可靠性。这意味着，您不仅能轻松打造出响应迅捷、体验流畅的终端产品，更能显著提升系统的整体能效，让您的设备在激烈的市场竞争中，凭借出色的性能与续航表现赢得先机。选择它，就是为您的产品选择了一个强大而高效的性能基石。

• 型号:MT53E256M16D1FW-046 AIT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-TFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-TFBGA
• 供应商器件封装:200-TFBGA（10x14.5）
• MT53E256M16D1FW-046 AIT:B，Micron（美光）产品一站式供应商。