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您是否在寻找一颗能够承载海量数据、并确保高速稳定访问的存储核心？MT29E512G08CMCCBH7-6:C正是您的答案。这颗由美光科技出品的512Gb NAND闪存芯片，采用先进的并联接口，能以高达167MHz的时钟频率高效运作，让您的设备实现快速的数据读写与处理，显著提升系统响应速度和应用加载体验。

它能在2.7V至3.6V的宽电压范围内稳定工作，适应多样的供电环境，确保从消费电子到工业设备的广泛兼容性与可靠性。其大容量与非易失特性，让您能够轻松存储关键的系统数据、多媒体内容或用户信息，即使在断电后也能完好保存。选择它，就是为您的产品选择了一个强大、高效且值得信赖的数据仓库。

• 型号:MT29E512G08CMCCBH7-6:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-TBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Gb
• 存储器组织:64G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:152-TBGA
• MT29E512G08CMCCBH7-6:C，Micron（美光）产品一站式供应商。