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还在为系统存储的容量与速度瓶颈而困扰吗？让MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR为您打开新视野。这颗由美光科技打造的128Gb并行NAND闪存芯片，能以高达166MHz的时钟频率飞速处理数据，为您的高性能应用提供海量且迅捷的存储空间，轻松应对复杂固件、大量日志或媒体内容的存储需求。

它采用成熟的并联接口和宽电压设计（2.7V~3.6V），兼容性出色，让您的系统集成工作更加高效顺畅。其0°C至70°C的工业级工作温度范围，确保了在各种环境下都能稳定运行，为您的产品可靠性保驾护航。选择它，就是为您的设备选择了一个强大、可靠的数据心脏。

• 型号:MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Gb
• 存储器组织:16G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。