我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为您的移动设备寻找一颗既能提供海量数据带宽，又能极致省电的“心脏”吗？MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR正是您期待的答案。它基于美光先进的Mobile LPDDR4技术，集成了高达32Gb（512M x 64）的存储容量，并以2133MHz的疾速运行，确保您的应用能够轻松处理高清视频流、复杂图形渲染和即时多任务切换，带来无与伦比的流畅体验。

这颗芯片专为严苛环境而生，其宽广的工作温度范围（-30°C ~ 85°C）让您的设备无论身处何地都能稳定运行。同时，其1.1V的低电压供电设计，能显著降低系统整体功耗，有效延长电池续航，让您的产品在能效比上占据绝对优势。选择它，就是为您的智能终端选择了一个高效、可靠且节能的强大数据伙伴。

• 制造商产品型号：MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 556WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：32Gb（512M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：556-WFBGA
• MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。