我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT49H32M18CBM-18:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？MT49H32M18CBM-18:B TR将彻底改变您的体验。这颗576Mb并行DRAM，凭借533MHz的高频与15ns的极速访问能力，能轻松应对您最苛刻的实时数据处理需求，让您的设备运行如飞。

它采用1.8V左右低电压供电，在宽温范围内稳定工作，有效降低系统功耗与热管理压力。其144-TFBGA紧凑型封装，让您能更灵活地进行高密度PCB布局，节省宝贵空间。选择它，就是为您的核心应用选择了一个高效、可靠的数据交换枢纽。

• 型号:MT49H32M18CBM-18:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H32M18CBM-18:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。