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MT41K512M16VRN-107 AIT:P TR 零件图片(仅供参考)

MT41K512M16VRN-107 AIT:P TR
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MT41K512M16VRN-107 AIT:P TR 规格参数

您是否正在寻找一颗能同时征服速度、容量与严酷环境挑战的存储器核心?MT41K512M16VRN-107 AIT:P TR正是为您而来的解决方案。这颗美光出品的8Gb DDR3L SDRAM,以高达933MHz的时钟频率和仅20ns的快速访问时间,为您的高速处理器提供充沛、低延迟的数据供给,让您的系统响应如电光火石般迅捷。

更令人振奋的是,它绝非温室中的花朵。其宽广的-40°C至95°C工作温度范围与符合AEC-Q100的汽车级品质,意味着它能从容应对户外严寒、车载高温等极端工况,确保您的智能汽车、工业设备或通信基础设施全年无休、稳定运行。1.283V~1.45V的低电压设计,还让您在享受高性能的同时,轻松实现更高的能效比。

无论是用于海量数据缓冲,还是作为实时系统的运行内存,这颗采用96-TFBGA封装、表面贴装的芯片,都能以卓越的可靠性和强大的并行处理能力,成为您产品设计中最坚实的后盾,助您轻松构建领先一代的硬件平台。

  • 制造商产品型号:MT41K512M16VRN-107 AIT:P TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:Automotive, AEC-Q100
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3L
  • 存储容量:8Gb(512M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:933MHz
  • 写周期时间-字,页:15ns
  • 访问时间:20ns
  • 电压-供电:1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:96-TFBGA
  • MT41K512M16VRN-107 AIT:P TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT41K512M16VRN-107 AIT:P TR 基本参数:

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