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还在为设备的数据存储瓶颈寻找突破方案吗？MT29F512G08CFCBBWP-10M:B TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的512Gb NAND闪存芯片，能为您提供海量且稳定的非易失存储空间，让您的设备轻松容纳复杂系统和大量用户数据。

凭借其并联接口和高达100MHz的时钟频率，它能实现高效的数据读写，显著提升系统响应速度和整体性能。宽电压供电（2.7V-3.6V）与商业级温度范围（0°C至70°C）支持，确保了它在各种应用环境下的可靠运行。选择它，就是为您的产品选择了一颗经过验证、性能强劲的存储核心。

• 型号:MT29F512G08CFCBBWP-10M:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:512Gb
• 存储器组织:64G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F512G08CFCBBWP-10M:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。