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还在为系统数据处理的迟滞而烦恼吗？MT49H32M18BM-33:B TR将彻底改变这一局面。这颗576Mb并行DRAM芯片，凭借300MHz的高时钟频率和仅20ns的快速访问时间，能为您的高速应用提供源源不断的数据流，让实时处理海量信息变得轻松而高效。

它采用1.7V~1.9V的低电压供电和144-TFBGA紧凑封装，在保证强劲性能的同时，兼顾了系统的能效与空间布局。无论是用于加速网络交换、提升图形处理能力，还是强化工业控制系统的实时性，它都能让您的设备响应如飞，性能表现远超预期。

• 型号:MT49H32M18BM-33:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:300 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H32M18BM-33:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。