我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F4G16ABBEAH4:E现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能扛起系统数据存储重任的“老兵”吗？MT29F4G16ABBEAH4:E就是您理想的答案。这颗美光出品的4Gb并行NAND闪存，能以256M x 16的架构，为您提供稳定可靠的非易失存储空间，无论是存储操作系统、应用程序还是用户数据，都能轻松应对。

它采用1.7V至1.95V的低电压运行，有效帮助您的设备节能增效；其并联接口确保了高效的数据传输，让系统响应更加迅捷。表面贴装的63-VFBGA封装，更便于您进行高密度的PCB板设计，节省宝贵空间。选择它，就是为您的嵌入式设备选择了一份经过时间验证的稳定与高效。

• 型号:MT29F4G16ABBEAH4:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G16ABBEAH4:E，Micron（美光）产品一站式供应商。