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还在为嵌入式系统寻找一颗性能强劲、稳定可靠的“数据心脏”吗？MT49H16M36BM-18:B正是您期待的答案。这颗来自美光科技的576Mb并行DRAM，能以高达533MHz的速度高效处理数据流，15ns的快速访问时间确保系统响应零延迟，让您的设备在应对网络通信、工业控制等高带宽任务时从容不迫。

它采用1.7V~1.9V的低电压供电，在释放强劲性能的同时，显著优化系统功耗，助您打造更节能的产品。其144-TFBGA紧凑封装，非常适合空间精密的表面贴装设计，让您的PCB布局更灵活、产品集成度更高。选择它，就是为您的核心设备注入一颗高效、稳定的存储引擎。

• 型号:MT49H16M36BM-18:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M36BM-18:B，Micron（美光）产品一站式供应商。