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还在寻找一颗能同时征服性能高峰与能效深谷的内存芯片吗？MT41K256M8DA-125 AIT:K TR正是您的理想答案。这颗由美光科技打造的2Gb DDR3L SDRAM，以高达800MHz的时钟频率和仅13.75ns的访问时间，为您的高速计算与实时数据处理需求注入澎湃动力，让系统响应快人一步。

更重要的是，它采用先进的1.35V低电压设计，能显著降低系统整体功耗，延长电池续航或减少散热压力，让您的产品在能效表现上脱颖而出。其宽泛的-40°C至95°C工作温度范围和可靠的78-TFBGA封装，确保它能在工业控制、网络通信乃至各类消费电子等多样场景中稳定服役，轻松应对各种挑战，是您构建高效、可靠硬件平台的坚实基石。

• 型号:MT41K256M8DA-125 AIT:K TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
• MT41K256M8DA-125 AIT:K TR，Micron（美光）产品一站式供应商。