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您是否在寻找一颗能扛起系统数据基石重任的闪存芯片？MT29F4G08ABCHC:C TR正是您的答案。这颗由美光科技打造的4Gb并行NAND闪存，能为您提供高达512M x 8位的大容量、非易失存储空间，让您的设备轻松容纳复杂的操作系统、应用程序以及海量用户数据。

其1.7V至1.95V的低电压供电和并联接口，确保了高速、稳定的数据读写性能，显著提升系统响应效率。广泛的0°C至70°C工作温度范围，让您的产品能够从容应对各种环境挑战。无论是工业控制、网络设备还是消费电子，它都能成为您产品内部最可靠、高效的“记忆核心”。

• 型号:MT29F4G08ABCHC:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• MT29F4G08ABCHC:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。